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IPB65R600C6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB65R600C6

Código: 65C6600

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 63 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V

Carga de compuerta (Qg): 23 nC

Tiempo de elevación (tr): 9 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: D2PAK, TO263

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IPB65R600C6 Datasheet (PDF)

1.1. ipb65r600c6 ipa65r600c6 ipp65r600c6 ipd65r600c6 ipi65r600c6.pdf Size:2092K _infineon

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3.2. ipw65r660cfd ipb65r660cfd ipi65r660cfd ipa65r660cfd ipp65r660cfd ipd65r660cfd.pdf Size:4455K _infineon

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