IPB65R600C6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB65R600C6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IPB65R600C6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB65R600C6 даташит

 ..1. Size:2158K  infineon
ipd65r600c6 ipi65r600c6 ipb65r600c6 ipp65r600c6 ipa65r600c6.pdfpdf_icon

IPB65R600C6

MOSFET + =L9D - PA;%'*H (>E4@ +@0=A8AB>@ "( ) "(" ) "( ) "(( ) IPA65R600C6 1 Descripti n !GGD+ - 1Y AK 9 J=NGDMLAGF9JQ L=;@FGDG?Q >GJ @A?@ NGDL9?= HGO=J + - 1$#2K

 ..2. Size:2092K  infineon
ipb65r600c6 ipa65r600c6 ipp65r600c6 ipd65r600c6 ipi65r600c6.pdfpdf_icon

IPB65R600C6

MOSFET + =L9D - PA;%'*H (>E4@ +@0=A8AB>@ "( ) "(" ) "( ) "(( ) IPA65R600C6 1 Descripti n !GGD+ - 1Y AK 9 J=NGDMLAGF9JQ L=;@FGDG?Q >GJ @A?@ NGDL9?= HGO=J + - 1$#2K

 ..3. Size:258K  inchange semiconductor
ipb65r600c6.pdfpdf_icon

IPB65R600C6

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB65R600C6 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V

 7.1. Size:4455K  infineon
ipw65r660cfd ipb65r660cfd ipi65r660cfd ipa65r660cfd ipp65r660cfd ipd65r660cfd.pdfpdf_icon

IPB65R600C6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CFD2 650V 650V CoolMOS CFD2 Power Transistor IPx65R660CFD Data Sheet Rev. 2.4 Final Industrial & Multimarket 650V CoolMOS CFD2 Power Transistor IPW65R660CFD, IPB65R660CFD, IPP65R660CFD IPA65R660CFD, IPD65R660CFD, IPI65R660CFD TO-247 D PAK TO-220 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for hi

Другие IGBT... IPB60R385CP, IPB60R520CP, IPB60R600C6, IPB60R600CP, IPB60R950C6, IPB65R280C6, IPB65R280E6, IPB65R380C6, IRF1404, IPB65R660CFD, IPB70N04S4-06, IPB79CN10NG, IPB80N04S4-03, IPD100N04S4-02, IPD100N06S4-03, IPD14N06S2-80, IPD15N06S2L-64