IPB79CN10NG Todos los transistores

 

IPB79CN10NG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB79CN10NG
   Código: 79CN10N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.079 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

IPB79CN10NG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1028K  infineon
 ipb79cn10ng ipd78cn10ng ipi80cn10ng ipp80cn10ng.pdf pdf_icon

IPB79CN10NG

IPB79CN10N G IPD78CN10N GIPI80CN10N G IPP80CN10N G OptiMOS2 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max (TO252) 78 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 13 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
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IPB79CN10NG

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB79CN10NGFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

 4.1. Size:534K  infineon
 ipb79cn10n-g ipd78cn10n-g ipi80cn10n-g ipp80cn10n-g.pdf pdf_icon

IPB79CN10NG

IPB79CN10N G IPD78CN10N GIPI80CN10N G IPP80CN10N G OptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 78mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 13 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC

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