IPB79CN10NG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB79CN10NG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.079 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de IPB79CN10NG MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IPB79CN10NG datasheet

 ..1. Size:1028K  infineon
 ipb79cn10ng ipd78cn10ng ipi80cn10ng ipp80cn10ng.pdf pdf_icon

IPB79CN10NG

IPB79CN10N G IPD78CN10N G IPI80CN10N G IPP80CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, normal level RDS(on),max (TO252) 78 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 13 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb79cn10ng.pdf pdf_icon

IPB79CN10NG

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB79CN10NG FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V

 4.1. Size:534K  infineon
 ipb79cn10n-g ipd78cn10n-g ipi80cn10n-g ipp80cn10n-g.pdf pdf_icon

IPB79CN10NG

IPB79CN10N G IPD78CN10N G IPI80CN10N G IPP80CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 78 m DS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 13 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC

Otros transistores... IPB60R600CP, IPB60R950C6, IPB65R280C6, IPB65R280E6, IPB65R380C6, IPB65R600C6, IPB65R660CFD, IPB70N04S4-06, IRF640N, IPB80N04S4-03, IPD100N04S4-02, IPD100N06S4-03, IPD14N06S2-80, IPD15N06S2L-64, IPD22N08S2L-50, IPD25N06S2-40, IPD25N06S4L-30