Справочник MOSFET. IPB79CN10NG

 

IPB79CN10NG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPB79CN10NG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.079 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IPB79CN10NG

 

 

IPB79CN10NG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1028K  infineon
 ipb79cn10ng ipd78cn10ng ipi80cn10ng ipp80cn10ng.pdf

IPB79CN10NG IPB79CN10NG

IPB79CN10N G IPD78CN10N GIPI80CN10N G IPP80CN10N G OptiMOS2 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max (TO252) 78 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 13 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb79cn10ng.pdf

IPB79CN10NG IPB79CN10NG

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB79CN10NGFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

 4.1. Size:534K  infineon
 ipb79cn10n-g ipd78cn10n-g ipi80cn10n-g ipp80cn10n-g.pdf

IPB79CN10NG IPB79CN10NG

IPB79CN10N G IPD78CN10N GIPI80CN10N G IPP80CN10N G OptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 78mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 13 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC

Другие MOSFET... IPB60R600CP , IPB60R950C6 , IPB65R280C6 , IPB65R280E6 , IPB65R380C6 , IPB65R600C6 , IPB65R660CFD , IPB70N04S4-06 , IRF640N , IPB80N04S4-03 , IPD100N04S4-02 , IPD100N06S4-03 , IPD14N06S2-80 , IPD15N06S2L-64 , IPD22N08S2L-50 , IPD25N06S2-40 , IPD25N06S4L-30 .

 

 
Back to Top