IPD14N06S2-80 Todos los transistores

 

IPD14N06S2-80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD14N06S2-80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

IPD14N06S2-80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  infineon
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IPD14N06S2-80

IPD14N06S2-80OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 80mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 17 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD14N06S2

 9.1. Size:992K  infineon
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IPD14N06S2-80

$ " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesD O >@ 50AB AE8B278=6 2>=D4@B4@A 0=3 AG=2 @42B85820B8>= 14 4 mWD n) m xO ' 270==4; 4=70=24@?4@0B8=6 B4"+ 2> 0B R C=;4AA >B74@E8A4 A?4285843jParameter SymbI Cndit

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ME2306BS-G | NVD14N03R

 

 
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