IPD14N06S2-80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD14N06S2-80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: TO252

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IPD14N06S2-80 datasheet

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IPD14N06S2-80

IPD14N06S2-80 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Enhancement mode R (SMD version) 80 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 17 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD14N06S2

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IPD14N06S2-80

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Otros transistores... IPB65R380C6, IPB65R600C6, IPB65R660CFD, IPB70N04S4-06, IPB79CN10NG, IPB80N04S4-03, IPD100N04S4-02, IPD100N06S4-03, IRF3710, IPD15N06S2L-64, IPD22N08S2L-50, IPD25N06S2-40, IPD25N06S4L-30, IPD26N06S2L-35, IPD30N03S2L-07, IPD30N03S2L-10, IPD30N03S2L-20