Справочник MOSFET. IPD14N06S2-80

 

IPD14N06S2-80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD14N06S2-80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD14N06S2-80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD14N06S2-80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  infineon
 ipd14n06s2-80.pdf pdf_icon

IPD14N06S2-80

IPD14N06S2-80OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 80mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 17 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD14N06S2

 9.1. Size:992K  infineon
 ipd144n06n g2.pdf pdf_icon

IPD14N06S2-80

$ " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesD O >@ 50AB AE8B278=6 2>=D4@B4@A 0=3 AG=2 @42B85820B8>= 14 4 mWD n) m xO ' 270==4; 4=70=24@?4@0B8=6 B4"+ 2> 0B R C=;4AA >B74@E8A4 A?4285843jParameter SymbI Cndit

Другие MOSFET... IPB65R380C6 , IPB65R600C6 , IPB65R660CFD , IPB70N04S4-06 , IPB79CN10NG , IPB80N04S4-03 , IPD100N04S4-02 , IPD100N06S4-03 , P55NF06 , IPD15N06S2L-64 , IPD22N08S2L-50 , IPD25N06S2-40 , IPD25N06S4L-30 , IPD26N06S2L-35 , IPD30N03S2L-07 , IPD30N03S2L-10 , IPD30N03S2L-20 .

History: TPA50R250C | AP9435GP-HF | TPB70R950C | CS10N60A8HD | NTMFS4939NT1G | FDP8N50NZU | RS1G120MN

 

 
Back to Top

 


 
.