IPD15N06S2L-64 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD15N06S2L-64

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm

Encapsulados: TO252

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IPD15N06S2L-64 datasheet

 ..1. Size:148K  infineon
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IPD15N06S2L-64

IPD15N06S2L-64 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel Logic Level - Enhancement mode R (SMD version) 64 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 19 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Markin

 3.1. Size:287K  inchange semiconductor
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IPD15N06S2L-64

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD15N06S2L64 FEATURES Drain Current I = 19A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 55V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 64m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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