IPD15N06S2L-64 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPD15N06S2L-64
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 47 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 55 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 19 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 14 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 103 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.064 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPD15N06S2L-64
IPD15N06S2L-64 Datasheet (PDF)
ipd15n06s2l-64.pdf
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IPD15N06S2L-64OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 64mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 19 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Markin
ipd15n06s2l64.pdf
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isc N-Channel MOSFET Transistor IPD15N06S2L64FEATURESDrain Current : I = 19A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 55V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 64m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
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