IPD15N06S2L-64 Todos los transistores

 

IPD15N06S2L-64 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD15N06S2L-64
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IPD15N06S2L-64 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  infineon
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IPD15N06S2L-64

IPD15N06S2L-64OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 64mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 19 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Markin

 3.1. Size:287K  inchange semiconductor
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IPD15N06S2L-64

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD15N06S2L64FEATURESDrain Current : I = 19A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 55V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 64m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

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