Справочник MOSFET. IPD15N06S2L-64

 

IPD15N06S2L-64 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD15N06S2L-64
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD15N06S2L-64

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD15N06S2L-64 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  infineon
 ipd15n06s2l-64.pdf pdf_icon

IPD15N06S2L-64

IPD15N06S2L-64OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 64mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 19 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Markin

 3.1. Size:287K  inchange semiconductor
 ipd15n06s2l64.pdf pdf_icon

IPD15N06S2L-64

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD15N06S2L64FEATURESDrain Current : I = 19A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 55V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 64m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

Другие MOSFET... IPB65R600C6 , IPB65R660CFD , IPB70N04S4-06 , IPB79CN10NG , IPB80N04S4-03 , IPD100N04S4-02 , IPD100N06S4-03 , IPD14N06S2-80 , IRFB4227 , IPD22N08S2L-50 , IPD25N06S2-40 , IPD25N06S4L-30 , IPD26N06S2L-35 , IPD30N03S2L-07 , IPD30N03S2L-10 , IPD30N03S2L-20 , IPD30N03S4L-09 .

History: MS4N60C | AM4922N | IXTH22N50P

 

 
Back to Top

 


 
.