IPD031N06L3G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD031N06L3G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm

Encapsulados: TO252

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IPD031N06L3G datasheet

 3.1. Size:445K  infineon
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IPD031N06L3G

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 3.2. Size:242K  inchange semiconductor
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IPD031N06L3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD031N06L3, IIPD031N06L3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 3.1m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High frequency switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 6

 6.1. Size:668K  infineon
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IPD031N06L3G

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IPD031N06L3G

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