Справочник MOSFET. IPD031N06L3G

 

IPD031N06L3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD031N06L3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD031N06L3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD031N06L3G Datasheet (PDF)

 3.1. Size:445K  infineon
 ipd031n06l3.pdf pdf_icon

IPD031N06L3G

pe % # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?4 C64 1 m D n) m xR ) AE:>:K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CD 1 DR I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' D n)R /6CJ =@H @? C6D:DE2?46 ,D n)R ( 492??6= =@8:4 =6G6=R 2G2=2?496 E6DE65R *3 7C66 A=2E:?8 , @"- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?DTy

 3.2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd031n06l3.pdf pdf_icon

IPD031N06L3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD031N06L3, IIPD031N06L3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)3.1mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 6

 6.1. Size:668K  infineon
 ipd031n03l.pdf pdf_icon

IPD031N06L3G

pe % # ! %' # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesV D R !3DE DH;E5:;@9 (* .! / 8AC .(+.R 1m D n) m xR * BE;?;K76 E75:@A>A9J 8AC 5A@G7CE7CDI D1)R , F3>;8;76 355AC6;@9 EA % 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@DR ) 5:3@@7> >A9;5 >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I R BCA6F5E !* ( D n)R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 RD n)R G3>3@5:7 C3E76R +4 8C77 B>3E;@9 - A#. 5A?B>;3@ER #

 6.2. Size:671K  infineon
 ipd031n03lg ips031n03lg.pdf pdf_icon

IPD031N06L3G

pe % # ! %' # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesV D R !3DE DH;E5:;@9 (* .! / 8AC .(+.R 1m D n) m xR * BE;?;K76 E75:@A>A9J 8AC 5A@G7CE7CDI D1)R , F3>;8;76 355AC6;@9 EA % 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@DR ) 5:3@@7> >A9;5 >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I R BCA6F5E !* ( D n)R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 RD n)R G3>3@5:7 C3E76R +4 8C77 B>3E;@9 - A#. 5A?B>;3@ER #

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPD90N06S4-05 , IPD90N06S4-07 , IPD90N06S4L-03 , IPD90N06S4L-05 , IPD90N06S4L-06 , IPD90P03P4-04 , IPD90P03P4L-04 , IPD031N03LG , AON6380 , IPD034N06N3G , IPD035N06L3G , IPD036N04LG , IPD038N04NG , IPD038N06N3G , IPD040N03LG , IPD042P03L3G , IPD048N06L3G .

History: NCE60H15AD | VBM17R10 | CS7N70F | IPU95R450P7

 

 
Back to Top

 


 
.