Справочник MOSFET. IPD031N06L3G

 

IPD031N06L3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD031N06L3G
   Маркировка: 031N06L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 59 nC
   trⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IPD031N06L3G

 

 

IPD031N06L3G Datasheet (PDF)

 3.1. Size:445K  infineon
 ipd031n06l3.pdf

IPD031N06L3G IPD031N06L3G

pe % # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?4 C64 1 m D n) m xR ) AE:>:K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CD 1 DR I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' D n)R /6CJ =@H @? C6D:DE2?46 ,D n)R ( 492??6= =@8:4 =6G6=R 2G2=2?496 E6DE65R *3 7C66 A=2E:?8 , @"- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?DTy

 3.2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd031n06l3.pdf

IPD031N06L3G IPD031N06L3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD031N06L3, IIPD031N06L3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)3.1mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 6

 6.1. Size:668K  infineon
 ipd031n03l.pdf

IPD031N06L3G IPD031N06L3G

pe % # ! %' # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesV D R !3DE DH;E5:;@9 (* .! / 8AC .(+.R 1m D n) m xR * BE;?;K76 E75:@A>A9J 8AC 5A@G7CE7CDI D1)R , F3>;8;76 355AC6;@9 EA % 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@DR ) 5:3@@7> >A9;5 >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I R BCA6F5E !* ( D n)R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 RD n)R G3>3@5:7 C3E76R +4 8C77 B>3E;@9 - A#. 5A?B>;3@ER #

 6.2. Size:671K  infineon
 ipd031n03lg ips031n03lg.pdf

IPD031N06L3G IPD031N06L3G

pe % # ! %' # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesV D R !3DE DH;E5:;@9 (* .! / 8AC .(+.R 1m D n) m xR * BE;?;K76 E75:@A>A9J 8AC 5A@G7CE7CDI D1)R , F3>;8;76 355AC6;@9 EA % 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@DR ) 5:3@@7> >A9;5 >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I R BCA6F5E !* ( D n)R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 RD n)R G3>3@5:7 C3E76R +4 8C77 B>3E;@9 - A#. 5A?B>;3@ER #

 6.3. Size:241K  inchange semiconductor
 ipd031n03l.pdf

IPD031N06L3G IPD031N06L3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD031N03L, IIPD031N03LFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)3.1mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 30 VDSSV

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top