IPD038N04NG Todos los transistores

 

IPD038N04NG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD038N04NG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 980 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

IPD038N04NG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:423K  infineon
 ipd038n04n.pdf pdf_icon

IPD038N04NG

pe $ " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 4 D P 1BC BF9C389>7 &( , - 6?A ,&), m D n) m xP ( @C9=9I54 C538>?E5AC5ABD1)P * D17 C? $ 6?A C1A75C 1@@BP ' 381>>5?A=1

 6.1. Size:611K  infineon
 ipd038n06n32 ipd038n06n3g.pdf pdf_icon

IPD038N04NG

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 6.2. Size:243K  inchange semiconductor
 ipd038n06n3.pdf pdf_icon

IPD038N04NG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD038N06N3,IIPD038N06N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)3.8mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFor synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta

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History: FCH20N60 | IPB60R190C6 | DMN6075S | VBZE50P03 | NCE65N260F

 

 
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