IPD038N04NG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD038N04NG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 980 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm

Encapsulados: TO252

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IPD038N04NG datasheet

 4.1. Size:423K  infineon
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IPD038N04NG

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IPD038N04NG

Type # ! ! # A0 4A9E5B 1>4 43 43 ,&), B1=@

 6.2. Size:243K  inchange semiconductor
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IPD038N04NG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD038N06N3,IIPD038N06N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 3.8m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION For synchronous rectification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volta

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