Справочник MOSFET. IPD038N04NG

 

IPD038N04NG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD038N04NG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD038N04NG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD038N04NG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:423K  infineon
 ipd038n04n.pdf pdf_icon

IPD038N04NG

pe $ " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 4 D P 1BC BF9C389>7 &( , - 6?A ,&), m D n) m xP ( @C9=9I54 C538>?E5AC5ABD1)P * D17 C? $ 6?A C1A75C 1@@BP ' 381>>5?A=1

 6.1. Size:611K  infineon
 ipd038n06n32 ipd038n06n3g.pdf pdf_icon

IPD038N04NG

Type # ! ! #:A0 4A9E5B 1>4 43 43 ,&),B1=@

 6.2. Size:243K  inchange semiconductor
 ipd038n06n3.pdf pdf_icon

IPD038N04NG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD038N06N3,IIPD038N06N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)3.8mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFor synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPD90N06S4L-06 , IPD90P03P4-04 , IPD90P03P4L-04 , IPD031N03LG , IPD031N06L3G , IPD034N06N3G , IPD035N06L3G , IPD036N04LG , IRF520 , IPD038N06N3G , IPD040N03LG , IPD042P03L3G , IPD048N06L3G , IPD050N03LG , IPD053N06N3G , IPD053N08N3G , IPD060N03LG .

History: IXTA1N100P

 

 
Back to Top

 


 
.