IPD038N04NG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD038N04NG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD038N04NG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD038N04NG даташит

 4.1. Size:423K  infineon
 ipd038n04n.pdf pdf_icon

IPD038N04NG

pe $ " " $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features 4 D P 1BC BF9C389>7 &( , - 6?A ,&), m D n) m x P ( @C9=9I54 C538>?E5AC5AB D 1) P * D17 C? $ 6?A C1A75C 1@@B P ' 381>>5?A=1

 6.1. Size:611K  infineon
 ipd038n06n32 ipd038n06n3g.pdf pdf_icon

IPD038N04NG

Type # ! ! # A0 4A9E5B 1>4 43 43 ,&), B1=@

 6.2. Size:243K  inchange semiconductor
 ipd038n06n3.pdf pdf_icon

IPD038N04NG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD038N06N3,IIPD038N06N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 3.8m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION For synchronous rectification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volta

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPD90N06S4L-06, IPD90P03P4-04, IPD90P03P4L-04, IPD031N03LG, IPD031N06L3G, IPD034N06N3G, IPD035N06L3G, IPD036N04LG, 75N75, IPD038N06N3G, IPD040N03LG, IPD042P03L3G, IPD048N06L3G, IPD050N03LG, IPD053N06N3G, IPD053N08N3G, IPD060N03LG