Справочник MOSFET. IPD038N04NG

 

IPD038N04NG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD038N04NG
   Маркировка: 038N04N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IPD038N04NG

 

 

IPD038N04NG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:423K  infineon
 ipd038n04n.pdf

IPD038N04NG IPD038N04NG

pe $ " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 4 D P 1BC BF9C389>7 &( , - 6?A ,&), m D n) m xP ( @C9=9I54 C538>?E5AC5ABD1)P * D17 C? $ 6?A C1A75C 1@@BP ' 381>>5?A=1

 6.1. Size:611K  infineon
 ipd038n06n32 ipd038n06n3g.pdf

IPD038N04NG IPD038N04NG

Type # ! ! #:A0 4A9E5B 1>4 43 43 ,&),B1=@

 6.2. Size:243K  inchange semiconductor
 ipd038n06n3.pdf

IPD038N04NG IPD038N04NG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD038N06N3,IIPD038N06N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)3.8mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFor synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top