IPD053N06N3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD053N06N3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm

Encapsulados: TO252

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IPD053N06N3G datasheet

 3.1. Size:615K  infineon
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IPD053N06N3G

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 4.1. Size:455K  infineon
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IPD053N06N3G

Type IPD053N06N OptiMOSTM Power-Transistor Features Product Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. VDS 60 V 100% avalanche tested RDS(on),max 5.3 mW Superior thermal resistance ID 45 A N-channel QOSS nC 32 Qualified according to JEDEC1) for target applications QG(0V..10V) nC 27 Pb-free lead plating; RoHS compliant Hal

 4.2. Size:242K  inchange semiconductor
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IPD053N06N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD053N06N, IIPD053N06N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 5.3m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Optimized for synchronous rectification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Sou

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