IPD053N06N3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD053N06N3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD053N06N3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD053N06N3G даташит

 3.1. Size:615K  infineon
 ipd053n06n3.pdf pdf_icon

IPD053N06N3G

pe # ! ! # A03 B53 R m D n) m x Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC I D Q H35>5?B=1

 4.1. Size:455K  infineon
 ipd053n06n.pdf pdf_icon

IPD053N06N3G

Type IPD053N06N OptiMOSTM Power-Transistor Features Product Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. VDS 60 V 100% avalanche tested RDS(on),max 5.3 mW Superior thermal resistance ID 45 A N-channel QOSS nC 32 Qualified according to JEDEC1) for target applications QG(0V..10V) nC 27 Pb-free lead plating; RoHS compliant Hal

 4.2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd053n06n.pdf pdf_icon

IPD053N06N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD053N06N, IIPD053N06N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 5.3m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Optimized for synchronous rectification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Sou

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPD035N06L3G, IPD036N04LG, IPD038N04NG, IPD038N06N3G, IPD040N03LG, IPD042P03L3G, IPD048N06L3G, IPD050N03LG, IRFZ48N, IPD053N08N3G, IPD060N03LG, IPD068N10N3G, IPD068P03L3G, IPD075N03LG, IPD079N06L3G, IPD082N10N3G, IPD088N04LG