IPD088N04LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPD088N04LG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPD088N04LG

IPD088N04LG Datasheet (PDF)

4.1. Size:429K infineon
ipd088n04l.pdf

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6.1. Size:609K infineon
ipd088n06n3 ipd088n06n3g.pdf

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6.2. Size:210K inchange semiconductor
ipd088n06n3g.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPD088N06N3GFEATURESWith TO-252(DPAK) packagingWith low gate drive requirementsVery high commutation ruggedness100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsLCD&PDP TVPC silverboxUPS and solarABSOLUTE

6.3. Size:243K inchange semiconductor
ipd088n06n3.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD088N06N3,IIPD088N06N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)8.8mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 60

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: