IPD170N04NG Todos los transistores

 

IPD170N04NG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD170N04NG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IPD170N04NG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:437K  infineon
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IPD170N04NG

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Otros transistores... IPD122N10N3G , IPD127N06LG , IPD12CN10NG , IPD135N03LG , IPD135N08N3G , IPD144N06NG , IPD160N04LG , IPD16CN10NG , IRF540N , IPD180N10N3G , IPD200N15N3G , IPD220N06L3G , IPD230N06LG , IPD230N06NG , IPD250N06N3G , IPD25CN10NG , IPD320N20N3G .

History: LSD70R1KGT | IXTY1R6N100D2 | CED02N6A | MFE930 | IRF3708L | CSN06N3P6 | MMBF4391

 

 
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