Справочник MOSFET. IPD170N04NG

 

IPD170N04NG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD170N04NG
   Маркировка: 170N04N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IPD170N04NG

 

 

IPD170N04NG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:437K  infineon
 ipd170n04n.pdf

IPD170N04NG IPD170N04NG

pe $ " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesV 4 D P 1BC BF9C389>7 &( , - 6?A ,&),R 17 mWD n) m xP ( @C9=9I54 C538>?E5AC5ABI D1)P * D17 C? $ 6?A C1A75C 1@@BP ' 381>>5?A=1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top