IPD170N04NG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD170N04NG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD170N04NG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD170N04NG даташит

 4.1. Size:437K  infineon
 ipd170n04n.pdf pdf_icon

IPD170N04NG

pe $ " " $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features V 4 D P 1BC BF9C389>7 &( , - 6?A ,&), R 17 mW D n) m x P ( @C9=9I54 C538>?E5AC5AB I D 1) P * D17 C? $ 6?A C1A75C 1@@B P ' 381>>5?A=1

Другие IGBT... IPD122N10N3G, IPD127N06LG, IPD12CN10NG, IPD135N03LG, IPD135N08N3G, IPD144N06NG, IPD160N04LG, IPD16CN10NG, IRF540, IPD180N10N3G, IPD200N15N3G, IPD220N06L3G, IPD230N06LG, IPD230N06NG, IPD250N06N3G, IPD25CN10NG, IPD320N20N3G