Справочник MOSFET. IPD170N04NG

 

IPD170N04NG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD170N04NG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD170N04NG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD170N04NG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:437K  infineon
 ipd170n04n.pdf pdf_icon

IPD170N04NG

pe $ " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesV 4 D P 1BC BF9C389>7 &( , - 6?A ,&),R 17 mWD n) m xP ( @C9=9I54 C538>?E5AC5ABI D1)P * D17 C? $ 6?A C1A75C 1@@BP ' 381>>5?A=1

Другие MOSFET... IPD122N10N3G , IPD127N06LG , IPD12CN10NG , IPD135N03LG , IPD135N08N3G , IPD144N06NG , IPD160N04LG , IPD16CN10NG , IRF540N , IPD180N10N3G , IPD200N15N3G , IPD220N06L3G , IPD230N06LG , IPD230N06NG , IPD250N06N3G , IPD25CN10NG , IPD320N20N3G .

History: RK7002BT116 | STD60NF06 | STY100NS20FD | SI1413EDH | LSH60R2K5HT | S68N08ZS | AP9990GR-HF

 

 
Back to Top

 


 
.