IPD49CN10NG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD49CN10NG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm

Encapsulados: TO252

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IPD49CN10NG datasheet

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 ipb50cn10ng ipd49cn10ng ipi50cn10ng ipp50cn10ng.pdf pdf_icon

IPD49CN10NG

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Otros transistores... IPD230N06LG, IPD230N06NG, IPD250N06N3G, IPD25CN10NG, IPD320N20N3G, IPD33CN10NG, IPD350N06LG, IPD400N06NG, IRF3710, IPD50N04S4-08, IPD50N04S4-10, IPD50N04S4L-08, IPD50P04P4L-11, IPD50R399CP, IPD50R520CP, IPD530N15N3G, IPD600N25N3G