IPD49CN10NG Todos los transistores

 

IPD49CN10NG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD49CN10NG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

IPD49CN10NG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:902K  infineon
 ipb50cn10ng ipd49cn10ng ipi50cn10ng ipp50cn10ng.pdf pdf_icon

IPD49CN10NG

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Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AOSP32368 | RRL025P03 | LSF60R380HT | IPI80N04S2-04 | ASDM3080KQ | 7N80G-TF3-T | SVG032R4NL5

 

 
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