Справочник MOSFET. IPD49CN10NG

 

IPD49CN10NG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD49CN10NG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD49CN10NG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD49CN10NG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:902K  infineon
 ipb50cn10ng ipd49cn10ng ipi50cn10ng ipp50cn10ng.pdf pdf_icon

IPD49CN10NG

$ " " $ " " $ " " $$ " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 1 D S ) 5:3@@7> @AD?3> >7H7> 4 m . A@ ?3J /* S !J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F "* ( D n)DS 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n)S V AB7D3F;@9 F7?B7D3FGD7S +4 8D77 >736 B>3F;@9 - A$. 5A?B>;3@F1)S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA &! ! 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@S %673> 8AD :;9: 8D7CG7@5K EI;F5:;@9 3@6 EK@5:DA@AGE

Другие MOSFET... IPD230N06LG , IPD230N06NG , IPD250N06N3G , IPD25CN10NG , IPD320N20N3G , IPD33CN10NG , IPD350N06LG , IPD400N06NG , P55NF06 , IPD50N04S4-08 , IPD50N04S4-10 , IPD50N04S4L-08 , IPD50P04P4L-11 , IPD50R399CP , IPD50R520CP , IPD530N15N3G , IPD600N25N3G .

History: CJK1211 | HUFA76437P3 | DMP6110SSD | CEM3258 | 2SK2513 | PSMN5R8-30LL

 

 
Back to Top

 


 
.