IPD60R450E6 Todos los transistores

 

IPD60R450E6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD60R450E6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de IPD60R450E6 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IPD60R450E6 datasheet

 ..1. Size:2131K  infineon
ipd60r450e6.pdf pdf_icon

IPD60R450E6

MOSFET + =L9D - PA... See More ⇒

 ..2. Size:1210K  infineon
ipd60r450e6 ipp60r450e6 ipa60r450e6.pdf pdf_icon

IPD60R450E6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS E6 600V 600V CoolMOS E6 Power Transistor IPx60R450E6 Data Sheet Rev. 2.2 Final Power Management & Multimarket 600V C IMOS E6 P wer Transist r IPD60R450E6, IPP60R450E6 IPA60R450E6 1 Descripti n CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the superjunction (S )... See More ⇒

 ..3. Size:242K  inchange semiconductor
ipd60r450e6.pdf pdf_icon

IPD60R450E6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD60R450E6,IIPD60R450E6 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.45 Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Fast switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 600 V DSS ... See More ⇒

 7.1. Size:1706K  infineon
ipa60r400ce ipd60r400ce.pdf pdf_icon

IPD60R450E6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CE 600V CoolMOS CE Power Transistor IPx60R400CE Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 600V CoolMOS CE Power Transistor IPD60R400CE, IPA60R400CE DPAK TO-220 FP 1 Description tab CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunctio... See More ⇒

Otros transistores... IPD50R520CP , IPD530N15N3G , IPD600N25N3G , IPD60R1K4C6 , IPD60R2K0C6 , IPD60R380C6 , IPD60R385CP , IPD60R3K3C6 , 2N7002 , IPD60R520C6 , IPD60R520CP , IPD60R600C6 , IPD60R600CP , IPD60R600E6 , IPD60R750E6 , IPD60R950C6 , IPD640N06LG .

 

 
Back to Top

 


IPD60R450E6  IPD60R450E6  IPD60R450E6 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AP75N04K | AP70P03K | AP70N100K | AP6900 | AP6802 | AP6800 | AP6242 | AP60P20K | AP60N04Q | AP6009S | AP6007S | AP5N50K | AP5N20K | AP5N10S | AP5N10M | AP50P20Q

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117

 


 
.