Справочник MOSFET. IPD60R450E6

 

IPD60R450E6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IPD60R450E6

Маркировка: 6R450E6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 74 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 28 nC

Время нарастания (tr): 9 ns

Выходная емкость (Cd): 41 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD60R450E6

 

 

IPD60R450E6 Datasheet (PDF)

0.1. ipd60r450e6.pdf Size:2131K _infineon

IPD60R450E6
IPD60R450E6

MOSFET+ =L9D - PA

0.2. ipd60r450e6 ipp60r450e6 ipa60r450e6.pdf Size:1210K _infineon

IPD60R450E6
IPD60R450E6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS E6 600V600V CoolMOS E6 Power TransistorIPx60R450E6Data SheetRev. 2.2FinalPower Management & Multimarket600V CIMOS E6 Pwer Transistr IPD60R450E6, IPP60R450E6IPA60R450E61 DescriptinCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs designed according to the superjunction (S )

 0.3. ipd60r450e6.pdf Size:242K _inchange_semiconductor

IPD60R450E6
IPD60R450E6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD60R450E6,IIPD60R450E6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.45Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600 VDSS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top