IPD60R600CP Todos los transistores

 

IPD60R600CP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD60R600CP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IPD60R600CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  infineon
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IPD60R600CP

IPD60R600CPCIMOS #:A0:9 for industrial grade applications 688DF9>CC6CH; Halogen free mold compoundPGTO252 :

 ..2. Size:241K  inchange semiconductor
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IPD60R600CP

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD60R600CP,IIPD60R600CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.6Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage

 4.1. Size:1224K  infineon
 ipd60r600c6 ipb60r600c6 ipp60r600c6 ipa60r600c6.pdf pdf_icon

IPD60R600CP

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 600V600V CoolMOS C6 Power TransistorIPx60R600C6Data SheetRev. 2.5FinalPower Management & Multimarket600V CIMOS C6 Pwer Transistr IPD60R600C6, IPB60R600C6IPP60R600C6, IPA60R600C61 DescriptinCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs designed according to the super

 4.2. Size:1051K  infineon
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IPD60R600CP

MOSFET+ =L9D - PA

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History: HTD1K5N10 | QM3014M6

 

 
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