Справочник MOSFET. IPD60R600CP

 

IPD60R600CP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD60R600CP
   Маркировка: 6R600P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IPD60R600CP

 

 

IPD60R600CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  infineon
 ipd60r600cp.pdf

IPD60R600CP IPD60R600CP

IPD60R600CPCIMOS #:A0:9 for industrial grade applications 688DF9>CC6CH; Halogen free mold compoundPGTO252 :

 ..2. Size:241K  inchange semiconductor
 ipd60r600cp.pdf

IPD60R600CP IPD60R600CP

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD60R600CP,IIPD60R600CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.6Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage

 4.1. Size:1224K  infineon
 ipd60r600c6 ipb60r600c6 ipp60r600c6 ipa60r600c6.pdf

IPD60R600CP IPD60R600CP

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 600V600V CoolMOS C6 Power TransistorIPx60R600C6Data SheetRev. 2.5FinalPower Management & Multimarket600V CIMOS C6 Pwer Transistr IPD60R600C6, IPB60R600C6IPP60R600C6, IPA60R600C61 DescriptinCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs designed according to the super

 4.2. Size:1051K  infineon
 ipd60r600c6.pdf

IPD60R600CP IPD60R600CP

MOSFET+ =L9D - PA

 4.3. Size:241K  inchange semiconductor
 ipd60r600c6.pdf

IPD60R600CP IPD60R600CP

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD60R600C6,IIPD60R600C6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.6Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600 VDSSV

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 

Back to Top