IPD65R380E6 Todos los transistores

 

IPD65R380E6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD65R380E6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IPD65R380E6 Datasheet (PDF)

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IPD65R380E6

MOSFET+ =L9D - PA

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IPD65R380E6

MOSFET+ =L9D - PA

 ..3. Size:243K  inchange semiconductor
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IPD65R380E6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD65R380E6,IIPD65R380E6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.38Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONVery high commutation ruggednessABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

 5.1. Size:1946K  infineon
 ipd65r380c6 ipi65r380c6 ipb65r380c6 ipp65r380c6 ipa65r380c6.pdf pdf_icon

IPD65R380E6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6650V CoolMOS C6 Power TransistorIPx65R380C6 Data SheetRev. 2.1, 2011-02-17Rev. 2.2, 2013-07-31Final Industrial & Multimarket650V CoolMOS C6 Power Transistor IPD65R380C6, IPI65R380C6IPB65R380C6, IPP65R380C6IPA65R380C61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MO

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History: BUZ100L | IRFZ25

 

 
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