Справочник MOSFET. IPD65R380E6

 

IPD65R380E6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD65R380E6
   Маркировка: 65E6380
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IPD65R380E6

 

 

IPD65R380E6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1960K  infineon
 ipd65r380e6 ipp65r380e6 ipa65r380e6.pdf

IPD65R380E6 IPD65R380E6

MOSFET+ =L9D - PA

 ..2. Size:1898K  infineon
 ipd65r380e6.pdf

IPD65R380E6 IPD65R380E6

MOSFET+ =L9D - PA

 ..3. Size:243K  inchange semiconductor
 ipd65r380e6.pdf

IPD65R380E6 IPD65R380E6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD65R380E6,IIPD65R380E6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.38Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONVery high commutation ruggednessABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

 5.1. Size:1946K  infineon
 ipd65r380c6 ipi65r380c6 ipb65r380c6 ipp65r380c6 ipa65r380c6.pdf

IPD65R380E6 IPD65R380E6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6650V CoolMOS C6 Power TransistorIPx65R380C6 Data SheetRev. 2.1, 2011-02-17Rev. 2.2, 2013-07-31Final Industrial & Multimarket650V CoolMOS C6 Power Transistor IPD65R380C6, IPI65R380C6IPB65R380C6, IPP65R380C6IPA65R380C61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MO

 5.2. Size:1905K  infineon
 ipd65r380c62.1.pdf

IPD65R380E6 IPD65R380E6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6650V CoolMOS C6 Power TransistorIPx65R380C6 Data SheetRev. 2.1, 2011-02-17Final Industrial & Multimarket650V CoolMOS C6 Power Transistor IPD65R380C6, IPI65R380C6IPB65R380C6, IPP65R380C6IPA65R380C61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed accord

 5.3. Size:243K  inchange semiconductor
 ipd65r380c6.pdf

IPD65R380E6 IPD65R380E6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD65R380C6,IIPD65R380C6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.38Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingVery high commutation ruggednessABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top