IPD75N04S4-06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPD75N04S4-06
Código: 4N0406
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 58 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 40 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de compuerta (Qg): 24.5 nC
Tiempo de elevación (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 490 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0059 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252
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IPD75N04S4-06 Datasheet (PDF)
0.1. ipd75n04s4-06 ipd75n04s4-06 ds 1 1.pdf 
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IPD75N04S4-06OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 5.9mDS(on),maxI 75 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD75N04S4-06 PG-TO252-3-313 4N0406Maximum ratings,
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
