IPD75N04S4-06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD75N04S4-06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm

Encapsulados: TO252

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IPD75N04S4-06 datasheet

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 ipd75n04s4-06 ipd75n04s4-06 ds 1 1.pdf pdf_icon

IPD75N04S4-06

IPD75N04S4-06 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 5.9 m DS(on),max I 75 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD75N04S4-06 PG-TO252-3-313 4N0406 Maximum ratings,

Otros transistores... IPD640N06LG, IPD64CN10NG, IPD65R380C6, IPD65R380E6, IPD65R600C6, IPD65R600E6, IPD65R660CFD, IPD70P04P4-09, IRFB3607, IPD78CN10NG, IPD800N06NG, IPD90N04S4-02, IPD90N04S4-03, IPD90N04S4-05, IPD90P04P4-05, IPD90R1K2C3, IPG20N04S4-08