Справочник MOSFET. IPD75N04S4-06

 

IPD75N04S4-06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD75N04S4-06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD75N04S4-06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD75N04S4-06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  infineon
 ipd75n04s4-06 ipd75n04s4-06 ds 1 1.pdf pdf_icon

IPD75N04S4-06

IPD75N04S4-06OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 5.9mDS(on),maxI 75 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD75N04S4-06 PG-TO252-3-313 4N0406Maximum ratings,

Другие MOSFET... IPD640N06LG , IPD64CN10NG , IPD65R380C6 , IPD65R380E6 , IPD65R600C6 , IPD65R600E6 , IPD65R660CFD , IPD70P04P4-09 , AON7506 , IPD78CN10NG , IPD800N06NG , IPD90N04S4-02 , IPD90N04S4-03 , IPD90N04S4-05 , IPD90P04P4-05 , IPD90R1K2C3 , IPG20N04S4-08 .

History: AS3423B

 

 
Back to Top

 


 
.