IPD75N04S4-06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPD75N04S4-06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD75N04S4-06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD75N04S4-06 даташит

 ..1. Size:154K  infineon
 ipd75n04s4-06 ipd75n04s4-06 ds 1 1.pdf pdf_icon

IPD75N04S4-06

IPD75N04S4-06 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 5.9 m DS(on),max I 75 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD75N04S4-06 PG-TO252-3-313 4N0406 Maximum ratings,

Другие IGBT... IPD640N06LG, IPD64CN10NG, IPD65R380C6, IPD65R380E6, IPD65R600C6, IPD65R600E6, IPD65R660CFD, IPD70P04P4-09, IRFB3607, IPD78CN10NG, IPD800N06NG, IPD90N04S4-02, IPD90N04S4-03, IPD90N04S4-05, IPD90P04P4-05, IPD90R1K2C3, IPG20N04S4-08