IPD78CN10NG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPD78CN10NG
   Código: 78CN10N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPD78CN10NG

IPD78CN10NG Datasheet (PDF)

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IPB79CN10N G IPD78CN10N GIPI80CN10N G IPP80CN10N G OptiMOS2 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max (TO252) 78 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 13 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

4.1. Size:705K infineon
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IPB80CN10N G IPD78CN10N GIPI80CN10N G IPP80CN10N G IPU78CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 78mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 13 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi

4.2. Size:534K infineon
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IPB79CN10N G IPD78CN10N GIPI80CN10N G IPP80CN10N G OptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 78mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 13 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC

4.3. Size:847K cn vbsemi
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IPD78CN10Nwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 100 % UIS tested0.055 at VGS = 10 V 250.057 at VGS = 4.5 V 100 25 21nC0.070 at VGS = 2.5 V 18APPLICATIONS Primary side switchDTO-252GG D SSN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unl

4.4. Size:243K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor IPD78CN10N,IIPD78CN10NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)78mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONIdeal for high-frequency switching and synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: