IPD78CN10NG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPD78CN10NG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD78CN10NG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD78CN10NG даташит

 ..1. Size:1028K  infineon
 ipb79cn10ng ipd78cn10ng ipi80cn10ng ipp80cn10ng.pdf pdf_icon

IPD78CN10NG

IPB79CN10N G IPD78CN10N G IPI80CN10N G IPP80CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, normal level RDS(on),max (TO252) 78 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 13 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

 4.1. Size:705K  infineon
 ipb80cn10n ipd78cn10n ipi80cn10n ipp80cn10n ipu78cn10n.pdf pdf_icon

IPD78CN10NG

IPB80CN10N G IPD78CN10N G IPI80CN10N G IPP80CN10N G IPU78CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 78 m DS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 13 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi

 4.2. Size:534K  infineon
 ipb79cn10n-g ipd78cn10n-g ipi80cn10n-g ipp80cn10n-g.pdf pdf_icon

IPD78CN10NG

IPB79CN10N G IPD78CN10N G IPI80CN10N G IPP80CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 78 m DS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 13 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC

 4.3. Size:847K  cn vbsemi
 ipd78cn10n.pdf pdf_icon

IPD78CN10NG

IPD78CN10N www.VBsemi.tw N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) 100 % UIS tested 0.055 at VGS = 10 V 25 0.057 at VGS = 4.5 V 100 25 21nC 0.070 at VGS = 2.5 V 18 APPLICATIONS Primary side switch D TO-252 G G D S S N-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPD64CN10NG, IPD65R380C6, IPD65R380E6, IPD65R600C6, IPD65R600E6, IPD65R660CFD, IPD70P04P4-09, IPD75N04S4-06, AON6380, IPD800N06NG, IPD90N04S4-02, IPD90N04S4-03, IPD90N04S4-05, IPD90P04P4-05, IPD90R1K2C3, IPG20N04S4-08, IPG20N04S4-09