IPD90N04S4-02 Todos los transistores

 

IPD90N04S4-02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD90N04S4-02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1630 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de IPD90N04S4-02 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IPD90N04S4-02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  infineon
ipd90n04s4-02 ipd90n04s4-02 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD90N04S4-02

IPD90N04S4-02OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 2.4mDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N04S4-02 PG-TO252-3-313 4N0402Maximum ratings,

 2.1. Size:152K  infineon
ipd90n04s4-03 ipd90n04s4-03 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD90N04S4-02

IPD90N04S4-03OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 3.2mDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N04S4-03 PG-TO252-3-313 4N0403Maximum ratings,

 2.2. Size:154K  infineon
ipd90n04s4-04 ipd90n04s4-04 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD90N04S4-02

IPD90N04S4-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 4.1mDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N04S4-04 PG-TO252-3-313 4N0404Maximum ratings,

 2.3. Size:154K  infineon
ipd90n04s4-05 ipd90n04s4-05 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD90N04S4-02

IPD90N04S4-05OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 5.2mDS(on),maxI 86 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N04S4-05 PG-TO252-3-313 4N0405Maximum ratings,

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRLR3636 | 2SJ511 | SDF054 | FTK4953 | SI2301BDS-T1-GE3 | SSG4825PE | ASDM30N55E

 

 
Back to Top

 


 
.