IPD90N04S4-02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPD90N04S4-02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1630 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IPD90N04S4-02
IPD90N04S4-02 Datasheet (PDF)
ipd90n04s4-02 ipd90n04s4-02 ds 1 0.pdf

IPD90N04S4-02OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 2.4mDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N04S4-02 PG-TO252-3-313 4N0402Maximum ratings,
ipd90n04s4-03 ipd90n04s4-03 ds 1 0.pdf

IPD90N04S4-03OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 3.2mDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N04S4-03 PG-TO252-3-313 4N0403Maximum ratings,
ipd90n04s4-04 ipd90n04s4-04 ds 1 0.pdf

IPD90N04S4-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 4.1mDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N04S4-04 PG-TO252-3-313 4N0404Maximum ratings,
ipd90n04s4-05 ipd90n04s4-05 ds 1 0.pdf

IPD90N04S4-05OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 5.2mDS(on),maxI 86 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N04S4-05 PG-TO252-3-313 4N0405Maximum ratings,
Другие MOSFET... IPD65R380E6 , IPD65R600C6 , IPD65R600E6 , IPD65R660CFD , IPD70P04P4-09 , IPD75N04S4-06 , IPD78CN10NG , IPD800N06NG , IRLB4132 , IPD90N04S4-03 , IPD90N04S4-05 , IPD90P04P4-05 , IPD90R1K2C3 , IPG20N04S4-08 , IPG20N04S4-09 , IPG20N04S4-12 , IPG20N04S4L-07 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g