IPI50R380CE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPI50R380CE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de IPI50R380CE MOSFET
IPI50R380CE Datasheet (PDF)
ipi50r380ce.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPx50R380CE Data SheetRev. 2.0, 2010-08-27Final Industrial & Multimarket500V CoolMOS CE Power Transistor IPP50R380CE, IPA50R380CEIPI50R380CE1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (S
ipi50r350cp rev20a.pdf

IPI50R350CPCoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @Tjmax 550 V!0 U )DK:GH ;>H / L ., + gR 0. 50 DS(on) maxU 2 AHF6 ADK HMU -7 ;F:: A:69 EA6H>C6CH PGTO2621)U . I6Ai;>:9 688DF9>CH8=
ipi50r399cp rev20.pdf

IPI50R399CPCoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @Tjmax 560 V!0 V )DL:HI ;>I / M ., + gR 0. 99 DS(on) maxV 2 AIG6 ADL INV -7 ;G:: A:69 EA6I>C6CI PGTO2621)V . J6Ai;>:9 688DG9>CI8=>C
ipi50r399cp.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI50R399CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.399Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra low gate chargeHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAME
Otros transistores... IPI320N20N3G , IPI35CN10NG , IPI50CN10NG , IPI50R140CP , IPI50R199CP , IPI50R250CP , IPI50R299CP , IPI50R350CP , IRFP450 , IPI50R399CP , IPI530N15N3G , IPI600N25N3G , IPI60R099CP , IPI60R099CPA , IPI60R125CP , IPI60R165CP , IPI60R190C6 .
History: CS3205 | STD150NH02LT4 | LNE12N60 | PJM3400NSA | KF5N60I | KNF6180A | IXTP76P10T
History: CS3205 | STD150NH02LT4 | LNE12N60 | PJM3400NSA | KF5N60I | KNF6180A | IXTP76P10T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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