Справочник MOSFET. IPI50R380CE

 

IPI50R380CE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPI50R380CE
   Маркировка: 5R380CE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для IPI50R380CE

 

 

IPI50R380CE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2917K  infineon
 ipi50r380ce.pdf

IPI50R380CE IPI50R380CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPx50R380CE Data SheetRev. 2.0, 2010-08-27Final Industrial & Multimarket500V CoolMOS CE Power Transistor IPP50R380CE, IPA50R380CEIPI50R380CE1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (S

 7.1. Size:546K  infineon
 ipi50r350cp rev20a.pdf

IPI50R380CE IPI50R380CE

IPI50R350CPCoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @Tjmax 550 V!0 U )DK:GH ;>H / L ., + gR 0. 50 DS(on) maxU 2 AHF6 ADK HMU -7 ;F:: A:69 EA6H>C6CH PGTO2621)U . I6Ai;>:9 688DF9>CH8=

 7.2. Size:547K  infineon
 ipi50r399cp rev20.pdf

IPI50R380CE IPI50R380CE

IPI50R399CPCoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @Tjmax 560 V!0 V )DL:HI ;>I / M ., + gR 0. 99 DS(on) maxV 2 AIG6 ADL INV -7 ;G:: A:69 EA6I>C6CI PGTO2621)V . J6Ai;>:9 688DG9>CI8=>C

 7.3. Size:287K  inchange semiconductor
 ipi50r399cp.pdf

IPI50R380CE IPI50R380CE

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI50R399CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.399Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra low gate chargeHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAME

 7.4. Size:287K  inchange semiconductor
 ipi50r350cp.pdf

IPI50R380CE IPI50R380CE

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI50R350CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.35Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra low gate chargeHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMET

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top