IPP05CN10LG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPP05CN10LG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 288 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0051 Ohm

Encapsulados: TO220

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IPP05CN10LG datasheet

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IPP05CN10LG

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IPP05CN10LG

IPB05CN10N G IPI05CN10N G IPP05CN10N G 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS R ( 492??6= ?@C>2= =6G6= R 5.1 m - @? >2I .) R I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E !) ' DS(on) I 100 A D R /6CJ =@H @? C6D DE2?46 R DS(on) R U @A6C2E ?8 E6>A6C2EFC6 R *3 7C66 =625 A=2E ?8 , @#- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA= 42E @? R $562= 7@C 9 89 7

 5.2. Size:245K  inchange semiconductor
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IPP05CN10LG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP05CN10N IIPP05CN10N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 5.1m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

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