IPP05CN10LG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPP05CN10LG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 288 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IPP05CN10LG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP05CN10LG даташит

 4.1. Size:563K  infineon
 ipp05cn10l2.pdf pdf_icon

IPP05CN10LG

%% # ! % (>.;?6?@ %>E Features 1 D U ) 7

 5.1. Size:781K  infineon
 ipp05cn10n ipp05cn10n ipb05cn10n-g ipi05cn10n-g.pdf pdf_icon

IPP05CN10LG

IPB05CN10N G IPI05CN10N G IPP05CN10N G 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS R ( 492??6= ?@C>2= =6G6= R 5.1 m - @? >2I .) R I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E !) ' DS(on) I 100 A D R /6CJ =@H @? C6D DE2?46 R DS(on) R U @A6C2E ?8 E6>A6C2EFC6 R *3 7C66 =625 A=2E ?8 , @#- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA= 42E @? R $562= 7@C 9 89 7

 5.2. Size:245K  inchange semiconductor
 ipp05cn10n.pdf pdf_icon

IPP05CN10LG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP05CN10N IIPP05CN10N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 5.1m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPP048N12N3G, IPP04CN10NG, IPP04N03LBG, IPP052N06L3G, IPP052NE7N3G, IPP055N03LG, IPP057N06N3G, IPP057N08N3G, SI2302, IPP05CN10NG, IPP062NE7N3G, IPP065N03LG, IPP065N04NG, IPP065N06LG, IPP06CN10LG, IPP06CN10NG, IPP070N06LG