IPP065N06LG Todos los transistores

 

IPP065N06LG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPP065N06LG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 890 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO220

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IPP065N06LG datasheet

 ..1. Size:738K  infineon
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IPP065N06LG

IPB065N06L G IPP065N06L G Power-Transistor Product Summary Features V D P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?> R m , ?> =1G P ( 381>>581>35=5>C

 6.1. Size:614K  infineon
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IPP065N06LG

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 6.2. Size:556K  infineon
ipp065n04n.pdf pdf_icon

IPP065N06LG

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 6.3. Size:245K  inchange semiconductor
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IPP065N06LG

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPP065N03L IIPP065N03L FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 6.5m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE

Otros transistores... IPP055N03LG , IPP057N06N3G , IPP057N08N3G , IPP05CN10LG , IPP05CN10NG , IPP062NE7N3G , IPP065N03LG , IPP065N04NG , IRF2807 , IPP06CN10LG , IPP06CN10NG , IPP070N06LG , IPP070N06NG , IPP070N08N3G , IPP072N10N3G , IPP075N15N3G , IPP076N12N3G .

History: STB34NM60ND

 

 

 


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