Справочник MOSFET. IPP065N06LG

 

IPP065N06LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPP065N06LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP065N06LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:738K  infineon
ipb065n06lg ipp065n06lg.pdfpdf_icon

IPP065N06LG

IPB065N06L G IPP065N06L G Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?>R m , ?> =1G P ( 381>>581>35=5>C

 6.1. Size:614K  infineon
ipp065n03l.pdfpdf_icon

IPP065N06LG

pe %% # ! % # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- m - @? >2H Q ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BCD1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CQ ( 492??6= =@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @"- 4@>A=:2?DQ "2=@86? 7B66 244@

 6.2. Size:556K  infineon
ipp065n04n.pdfpdf_icon

IPP065N06LG

pe $$ " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 4 D R 3DE DH;E5:;@9 &( , - 8AC ,&), m , A@ ?3I R ( BE;?;K76 E75:@A>A9J 8AC 5A@G7CE7CDD1)R * F3>;8;76 355AC6;@9 EA $ 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@DR ' 5:3@@7> @AC?3> >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I BCA6F5E ( & D n)R .7CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n)R G3>3@5:7 E7DE76R )4 8C77 B>3E;@9 + A", 5A?B>;3@EType #)) ' ' !

 6.3. Size:245K  inchange semiconductor
ipp065n03l.pdfpdf_icon

IPP065N06LG

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPP065N03LIIPP065N03LFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 6.5mEnhancement mode:Fast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SI5479DU | BRFL10N60 | IXTM42N20 | LTP70N06P | DH100P30 | APM9953K | SL6244

 

 
Back to Top

 


 
.