IPP070N08N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPP070N08N3G
Código: 070N08N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 780 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPP070N08N3G
IPP070N08N3G Datasheet (PDF)
ipp070n08n3g ipi070n08n3g ipb067n08n3g.pdf
IPP070N08N3 G IPI070N08N3 GIPB067N08N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D Q #4513I CG9D389>7 1>4 CI>3 B53 R 7 m , ?> =1H ,& Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BCI DQ H35>5?B=1
ipp070n08n3 ipp070n08n3 ipi070n08n3 ipb067n08n3.pdf
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ipp070n08n3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPP070N08N3,IIPP070N08N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 6.7mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONIdeal for high frequency switching and sync. Rec.Optimized technology for DC/DC converters
ipb070n06lg ipp070n06lg7.pdf
IPB070N06L G IPP070N06L G Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?>R 7 m , ?> =1G ,' E5AB9?>P ( 381>>581>35=5>C
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IPB070N06N G IPP070N06N GIPI070N06N G Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D P &?F 71C5 381A75 6?A 61BC BF9C389>7 1@@BR 7 m , ?> =1G ,' E5AB9?>P ( 381>>581>35=5>C >?A=1
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
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