IPP070N08N3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPP070N08N3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IPP070N08N3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP070N08N3G даташит

 ..1. Size:1013K  infineon
 ipp070n08n3g ipi070n08n3g ipb067n08n3g.pdf pdf_icon

IPP070N08N3G

IPP070N08N3 G IPI070N08N3 G IPB067N08N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V D Q #4513I CG9D389>7 1>4 CI>3 B53 R 7 m , ?> =1H ,& Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC I D Q H35>5?B=1

 3.1. Size:1021K  infineon
 ipp070n08n3 ipp070n08n3 ipi070n08n3 ipb067n08n3.pdf pdf_icon

IPP070N08N3G

IPP070N08N3 G IPI070N08N3 G IPB067N08N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V D Q #4513I CG9D389>7 1>4 CI>3 B53 R 7 m , ?> =1H ,& Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC I D Q H35>5?B=1

 3.2. Size:246K  inchange semiconductor
 ipp070n08n3.pdf pdf_icon

IPP070N08N3G

 6.1. Size:736K  infineon
 ipb070n06lg ipp070n06lg7.pdf pdf_icon

IPP070N08N3G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPP062NE7N3G, IPP065N03LG, IPP065N04NG, IPP065N06LG, IPP06CN10LG, IPP06CN10NG, IPP070N06LG, IPP070N06NG, P60NF06, IPP072N10N3G, IPP075N15N3G, IPP076N12N3G, IPP080N03LG, IPP080N06NG, IPP084N06L3G, IPP085N06LG, IPP086N10N3G