IPP093N06N3G Todos los transistores

 

IPP093N06N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPP093N06N3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0093 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de IPP093N06N3G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IPP093N06N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:687K  infineon
 ipb090n06n3g ipp093n06n3g.pdf pdf_icon

IPP093N06N3G

pe IPB090N06N3 G IPP093N06N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D P 6?A BH>3 A53C96931C9?> 4A9E5B 1>4 43 43 ,&),R m , ?> =1G ,& P G35

 3.1. Size:295K  infineon
 ipb090n06n3 ipp093n06n3.pdf pdf_icon

IPP093N06N3G

Type IPB090N06N3 G IPP093N06N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 60 VDS for sync. rectification, drives and dc/dc SMPSR 9mDS(on),max (SMD) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 50 AD Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level Avalanche rated Qualified according to JEDEC1) for target applications

 3.2. Size:687K  infineon
 ipp093n06n3 ipb093n06n3.pdf pdf_icon

IPP093N06N3G

pe IPB090N06N3 G IPP093N06N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D P 6?A BH>3 A53C96931C9?> 4A9E5B 1>4 43 43 ,&),R m , ?> =1G ,& P G35

 3.3. Size:245K  inchange semiconductor
 ipp093n06n3.pdf pdf_icon

IPP093N06N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP093N06N3IIPP093N06N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 9mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IPP076N12N3G , IPP080N03LG , IPP080N06NG , IPP084N06L3G , IPP085N06LG , IPP086N10N3G , IPP08CN10LG , IPP08CN10NG , MMD60R360PRH , IPP096N03LG , IPP100N04S4-H2 , IPP100N08N3G , IPP110N06LG , IPP110N20N3G , IPP111N15N3G , IPP114N03LG , IPP114N12N3G .

History: IRFR9110PBF | PMDPB85UPE | IRFP3703PBF

 

 
Back to Top

 


 
.