IPP093N06N3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPP093N06N3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IPP093N06N3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP093N06N3G даташит

 ..1. Size:687K  infineon
 ipb090n06n3g ipp093n06n3g.pdf pdf_icon

IPP093N06N3G

pe IPB090N06N3 G IPP093N06N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V D P 6?A BH>3 A53C96931C9?> 4A9E5B 1>4 43 43 ,&), R m , ?> =1G ,& P G35

 3.1. Size:295K  infineon
 ipb090n06n3 ipp093n06n3.pdf pdf_icon

IPP093N06N3G

 3.2. Size:687K  infineon
 ipp093n06n3 ipb093n06n3.pdf pdf_icon

IPP093N06N3G

pe IPB090N06N3 G IPP093N06N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V D P 6?A BH>3 A53C96931C9?> 4A9E5B 1>4 43 43 ,&), R m , ?> =1G ,& P G35

 3.3. Size:245K  inchange semiconductor
 ipp093n06n3.pdf pdf_icon

IPP093N06N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP093N06N3 IIPP093N06N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 9m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPP076N12N3G, IPP080N03LG, IPP080N06NG, IPP084N06L3G, IPP085N06LG, IPP086N10N3G, IPP08CN10LG, IPP08CN10NG, IRF9640, IPP096N03LG, IPP100N04S4-H2, IPP100N08N3G, IPP110N06LG, IPP110N20N3G, IPP111N15N3G, IPP114N03LG, IPP114N12N3G