Справочник MOSFET. IPP093N06N3G

 

IPP093N06N3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPP093N06N3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IPP093N06N3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP093N06N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:687K  infineon
ipb090n06n3g ipp093n06n3g.pdfpdf_icon

IPP093N06N3G

pe IPB090N06N3 G IPP093N06N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D P 6?A BH>3 A53C96931C9?> 4A9E5B 1>4 43 43 ,&),R m , ?> =1G ,& P G35

 3.1. Size:295K  infineon
ipb090n06n3 ipp093n06n3.pdfpdf_icon

IPP093N06N3G

Type IPB090N06N3 G IPP093N06N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 60 VDS for sync. rectification, drives and dc/dc SMPSR 9mDS(on),max (SMD) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 50 AD Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level Avalanche rated Qualified according to JEDEC1) for target applications

 3.2. Size:687K  infineon
ipp093n06n3 ipb093n06n3.pdfpdf_icon

IPP093N06N3G

pe IPB090N06N3 G IPP093N06N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D P 6?A BH>3 A53C96931C9?> 4A9E5B 1>4 43 43 ,&),R m , ?> =1G ,& P G35

 3.3. Size:245K  inchange semiconductor
ipp093n06n3.pdfpdf_icon

IPP093N06N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP093N06N3IIPP093N06N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 9mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Другие MOSFET... IPP076N12N3G , IPP080N03LG , IPP080N06NG , IPP084N06L3G , IPP085N06LG , IPP086N10N3G , IPP08CN10LG , IPP08CN10NG , AON7403 , IPP096N03LG , IPP100N04S4-H2 , IPP100N08N3G , IPP110N06LG , IPP110N20N3G , IPP111N15N3G , IPP114N03LG , IPP114N12N3G .

History: HSM6113 | NTF5P03T3G | IPL60R210P6 | AOD407 | 2SK1588

 

 
Back to Top

 


 
.