IPP139N08N3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPP139N08N3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 353 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0139 Ohm

Encapsulados: TO220

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IPP139N08N3G datasheet

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IPP139N08N3G

IPP139N08N3 G IPI139N08N3 G IPB136N08N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V D Q #4513I CG9D389>7 R 1 m , ?> =1H ,& Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC I 4 D Q H35>5?B=1

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IPP139N08N3G

IPP139N08N3 G IPI139N08N3 G IPB136N08N3 G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 80 V DS Ideal for high frequency switching R 13.6 m DS(on),max (SMD) Optimized technology for DC/DC converters I 45 A D Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qual

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