IPP139N08N3G Todos los transistores

 

IPP139N08N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPP139N08N3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 353 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0139 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

IPP139N08N3G Datasheet (PDF)

 3.1. Size:1019K  infineon
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IPP139N08N3G

IPP139N08N3 G IPI139N08N3 GIPB136N08N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D Q #4513I CG9D389>7 R 1 m , ?> =1H ,& Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BCI 4 DQ H35>5?B=1

 3.2. Size:496K  infineon
 ipb136n08n3-g ipp139n08n3-g ipi139n08n3-g.pdf pdf_icon

IPP139N08N3G

IPP139N08N3 G IPI139N08N3 GIPB136N08N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 80 VDS Ideal for high frequency switching R 13.6mDS(on),max (SMD) Optimized technology for DC/DC convertersI 45 AD Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qual

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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