Справочник MOSFET. IPP139N08N3G

 

IPP139N08N3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPP139N08N3G
   Маркировка: 139N08N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 353 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0139 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IPP139N08N3G

 

 

IPP139N08N3G Datasheet (PDF)

 3.1. Size:1019K  infineon
 ipp139n08n3.pdf

IPP139N08N3G IPP139N08N3G

IPP139N08N3 G IPI139N08N3 GIPB136N08N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D Q #4513I CG9D389>7 R 1 m , ?> =1H ,& Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BCI 4 DQ H35>5?B=1

 3.2. Size:496K  infineon
 ipb136n08n3-g ipp139n08n3-g ipi139n08n3-g.pdf

IPP139N08N3G IPP139N08N3G

IPP139N08N3 G IPI139N08N3 GIPB136N08N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 80 VDS Ideal for high frequency switching R 13.6mDS(on),max (SMD) Optimized technology for DC/DC convertersI 45 AD Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qual

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top