Справочник MOSFET. IPP139N08N3G

 

IPP139N08N3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPP139N08N3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 353 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0139 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IPP139N08N3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP139N08N3G Datasheet (PDF)

 3.1. Size:1019K  infineon
 ipp139n08n3.pdf pdf_icon

IPP139N08N3G

IPP139N08N3 G IPI139N08N3 GIPB136N08N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D Q #4513I CG9D389>7 R 1 m , ?> =1H ,& Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BCI 4 DQ H35>5?B=1

 3.2. Size:496K  infineon
 ipb136n08n3-g ipp139n08n3-g ipi139n08n3-g.pdf pdf_icon

IPP139N08N3G

IPP139N08N3 G IPI139N08N3 GIPB136N08N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 80 VDS Ideal for high frequency switching R 13.6mDS(on),max (SMD) Optimized technology for DC/DC convertersI 45 AD Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qual

Другие MOSFET... IPP120N04S4-01 , IPP120N04S4-02 , IPP120N06NG , IPP120N06S4-02 , IPP120N06S4-H1 , IPP126N10N3G , IPP12CN10LG , IPP12CN10NG , 20N60 , IPP147N03LG , IPP147N12N3G , IPP16CN10LG , IPP16CN10NG , IPP180N10N3G , IPP200N15N3G , IPP200N25N3G , IPP230N06L3G .

History: HRLF72N06 | NTMS4706NR2 | VS1401ATH

 

 
Back to Top

 


 
.