IPP139N08N3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPP139N08N3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 353 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0139 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IPP139N08N3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP139N08N3G даташит

 3.1. Size:1019K  infineon
 ipp139n08n3.pdf pdf_icon

IPP139N08N3G

IPP139N08N3 G IPI139N08N3 G IPB136N08N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V D Q #4513I CG9D389>7 R 1 m , ?> =1H ,& Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC I 4 D Q H35>5?B=1

 3.2. Size:496K  infineon
 ipb136n08n3-g ipp139n08n3-g ipi139n08n3-g.pdf pdf_icon

IPP139N08N3G

IPP139N08N3 G IPI139N08N3 G IPB136N08N3 G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 80 V DS Ideal for high frequency switching R 13.6 m DS(on),max (SMD) Optimized technology for DC/DC converters I 45 A D Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qual

Другие IGBT... IPP120N04S4-01, IPP120N04S4-02, IPP120N06NG, IPP120N06S4-02, IPP120N06S4-H1, IPP126N10N3G, IPP12CN10LG, IPP12CN10NG, 20N60, IPP147N03LG, IPP147N12N3G, IPP16CN10LG, IPP16CN10NG, IPP180N10N3G, IPP200N15N3G, IPP200N25N3G, IPP230N06L3G