IPP180N10N3G Todos los transistores

 

IPP180N10N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPP180N10N3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 237 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IPP180N10N3G Datasheet (PDF)

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IPP180N10N3G

## ! ! # ! ! TM #:A0

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IPP180N10N3G

IPP180N10N3 GIPI180N10N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 18mDS(on),max TO-263 Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 43 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target applicatio

 3.2. Size:246K  inchange semiconductor
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IPP180N10N3G

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPP180N10N3IIPP180N10N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 18mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE

Otros transistores... IPP126N10N3G , IPP12CN10LG , IPP12CN10NG , IPP139N08N3G , IPP147N03LG , IPP147N12N3G , IPP16CN10LG , IPP16CN10NG , IRF640 , IPP200N15N3G , IPP200N25N3G , IPP230N06L3G , IPP260N06N3G , IPP26CN10NG , IPP320N20N3G , IPP35CN10NG , IPP50CN10NG .

History: AM4528C | DMP1200UFR4 | FQD2P40TM

 

 
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