IPP180N10N3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPP180N10N3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IPP180N10N3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP180N10N3G даташит

 ..1. Size:559K  infineon
 ipp180n10n3g ipi180n10n3g.pdf pdf_icon

IPP180N10N3G

## ! ! # ! ! TM # A0

 3.1. Size:299K  infineon
 ipp180n10n3-g ipi180n10n3-g.pdf pdf_icon

IPP180N10N3G

IPP180N10N3 G IPI180N10N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 18 m DS(on),max TO-263 Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 43 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target applicatio

 3.2. Size:246K  inchange semiconductor
 ipp180n10n3.pdf pdf_icon

IPP180N10N3G

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPP180N10N3 IIPP180N10N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 18m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE

Другие IGBT... IPP126N10N3G, IPP12CN10LG, IPP12CN10NG, IPP139N08N3G, IPP147N03LG, IPP147N12N3G, IPP16CN10LG, IPP16CN10NG, IRFZ44, IPP200N15N3G, IPP200N25N3G, IPP230N06L3G, IPP260N06N3G, IPP26CN10NG, IPP320N20N3G, IPP35CN10NG, IPP50CN10NG