Справочник MOSFET. IPP180N10N3G

 

IPP180N10N3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPP180N10N3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP180N10N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:559K  infineon
 ipp180n10n3g ipi180n10n3g.pdf pdf_icon

IPP180N10N3G

## ! ! # ! ! TM #:A0

 3.1. Size:299K  infineon
 ipp180n10n3-g ipi180n10n3-g.pdf pdf_icon

IPP180N10N3G

IPP180N10N3 GIPI180N10N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 18mDS(on),max TO-263 Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 43 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target applicatio

 3.2. Size:246K  inchange semiconductor
 ipp180n10n3.pdf pdf_icon

IPP180N10N3G

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPP180N10N3IIPP180N10N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 18mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SSU1N60A | ZXMN6A07F | NDT6N70 | VTI640 | BUK961R4-30E | IPD50R280CE | 60N05

 

 
Back to Top

 


 
.