IPP200N25N3G Todos los transistores

 

IPP200N25N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPP200N25N3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Corriente continua de drenaje (Id): 64 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 64 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.02 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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IPP200N25N3G Datasheet (PDF)

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