IPP50R350CP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPP50R350CP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de IPP50R350CP MOSFET
IPP50R350CP Datasheet (PDF)
ipp50r350cp.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP50R350CPIIPP50R350CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.35Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra low gate chargeHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
ipp50r380ce.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPx50R380CE Data SheetRev. 2.0, 2010-08-27Final Industrial & Multimarket500V CoolMOS CE Power Transistor IPP50R380CE, IPA50R380CEIPI50R380CE1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (S
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History: PD696BA | DH90N055R | DG2N60-251 | MS4N60C | IRFZ24SPBF | IPD320N20N3 | NCE60NF200F
History: PD696BA | DH90N055R | DG2N60-251 | MS4N60C | IRFZ24SPBF | IPD320N20N3 | NCE60NF200F



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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