IPP50R350CP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPP50R350CP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IPP50R350CP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP50R350CP даташит

 ..1. Size:563K  infineon
 ipp50r350cp.pdf pdf_icon

IPP50R350CP

IPP50R350CP C IMOSTM # A0

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
 ipp50r350cp.pdf pdf_icon

IPP50R350CP

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP50R350CP IIPP50R350CP FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.35 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ultra low gate charge High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

 7.1. Size:547K  infineon
 ipp50r399cp.pdf pdf_icon

IPP50R350CP

IPP50R399CP C IMOSTM # A0

 7.2. Size:2917K  infineon
 ipp50r380ce.pdf pdf_icon

IPP50R350CP

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CE 500V CoolMOS CE Power Transistor IPx50R380CE Data Sheet Rev. 2.0, 2010-08-27 Final Industrial & Multimarket 500V CoolMOS CE Power Transistor IPP50R380CE, IPA50R380CE IPI50R380CE 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPP26CN10NG, IPP320N20N3G, IPP35CN10NG, IPP50CN10NG, IPP50R140CP, IPP50R199CP, IPP50R250CP, IPP50R299CP, 2N7000, IPP50R380CE, IPP50R399CP, IPP50R520CP, IPP530N15N3G, IPP600N25N3G, IPP60R099C6, IPP60R099CP, IPP60R099CPA