IPS105N03LG Todos los transistores

 

IPS105N03LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPS105N03LG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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IPS105N03LG Datasheet (PDF)

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IPS105N03LG

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IPS105N03LG

STGIPS10K60AIGBT intelligent power module (IPM)10 A, 600 V, DBC isolated SDIP-25L moldedFeatures 10 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge including control ICs for gate driving and free-wheeling diodes 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL inputs comparators with hysteresis and pull down resistor Internal bootstrap diode Interlocking function 5 k NTC thermistor fo

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History: 2SK4146-S19-AY | UF840KL-TF1-T | ZXMP4A57E6TA | HM4N65I | SVF3N80M | STL7NM60N

 

 
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