IPS105N03LG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPS105N03LG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: TO251

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IPS105N03LG datasheet

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IPS105N03LG

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IPS105N03LG

STGIPS10K60A IGBT intelligent power module (IPM) 10 A, 600 V, DBC isolated SDIP-25L molded Features 10 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge including control ICs for gate driving and free- wheeling diodes 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL inputs comparators with hysteresis and pull down resistor Internal bootstrap diode Interlocking function 5 k NTC thermistor fo

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