IPS105N03LG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPS105N03LG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для IPS105N03LG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPS105N03LG даташит

 ..1. Size:1239K  1
 ipd105n03lg ipf105n03lg ips105n03lg ipu105n03lg.pdf pdf_icon

IPS105N03LG

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@ %>E Features D S !4EF EI

 9.1. Size:452K  st
 stgips10k60a.pdf pdf_icon

IPS105N03LG

STGIPS10K60A IGBT intelligent power module (IPM) 10 A, 600 V, DBC isolated SDIP-25L molded Features 10 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge including control ICs for gate driving and free- wheeling diodes 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL inputs comparators with hysteresis and pull down resistor Internal bootstrap diode Interlocking function 5 k NTC thermistor fo

Другие IGBT... IPP90R500C3, IPP90R800C3, IPS031N03LG, IPS040N03LG, IPS050N03LG, IPS060N03LG, IPS075N03LG, IPS090N03LG, 8N60, IPS110N12N3G, IPS118N10NG, IPS12CN10LG, IPS135N03LG, IPS50R520CP, IPU039N03LG, IPU050N03LG, IPU060N03LG