IPS105N03LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPS105N03LG
Маркировка: 105N03L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
trⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
Тип корпуса: TO251
IPS105N03LG Datasheet (PDF)
ipd105n03lg ipf105n03lg ips105n03lg ipu105n03lg.pdf

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI
stgips10k60a.pdf

STGIPS10K60AIGBT intelligent power module (IPM)10 A, 600 V, DBC isolated SDIP-25L moldedFeatures 10 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge including control ICs for gate driving and free-wheeling diodes 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL inputs comparators with hysteresis and pull down resistor Internal bootstrap diode Interlocking function 5 k NTC thermistor fo
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: BRCS1C5P06MA
History: BRCS1C5P06MA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH060N07D | DH060N07B | DH060N03R | DH045N06I | DH045N06F | DH045N06E | DH045N06D | DH045N06B | DH045N06 | DH045N04P | DH045N04I | DH045N04F | DH045N04E | DH045N04D | DH045N04B | DH045N04
Popular searches
k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet