Справочник MOSFET. IPS105N03LG

 

IPS105N03LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPS105N03LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для IPS105N03LG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPS105N03LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1239K  1
 ipd105n03lg ipf105n03lg ips105n03lg ipu105n03lg.pdf pdf_icon

IPS105N03LG

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI

 9.1. Size:452K  st
 stgips10k60a.pdf pdf_icon

IPS105N03LG

STGIPS10K60AIGBT intelligent power module (IPM)10 A, 600 V, DBC isolated SDIP-25L moldedFeatures 10 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge including control ICs for gate driving and free-wheeling diodes 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL inputs comparators with hysteresis and pull down resistor Internal bootstrap diode Interlocking function 5 k NTC thermistor fo

Другие MOSFET... IPP90R500C3 , IPP90R800C3 , IPS031N03LG , IPS040N03LG , IPS050N03LG , IPS060N03LG , IPS075N03LG , IPS090N03LG , K2611 , IPS110N12N3G , IPS118N10NG , IPS12CN10LG , IPS135N03LG , IPS50R520CP , IPU039N03LG , IPU050N03LG , IPU060N03LG .

History: APT30F50S | AOT20N25L | IPD144N06NG | HGP059N08A | PHM12NQ20T | STW62NM60N | PJW1NA60

 

 
Back to Top

 


 
.