Справочник MOSFET. IPS105N03LG

 

IPS105N03LG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPS105N03LG
   Маркировка: 105N03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для IPS105N03LG

 

 

IPS105N03LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1239K  1
 ipd105n03lg ipf105n03lg ips105n03lg ipu105n03lg.pdf

IPS105N03LG IPS105N03LG

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI

 9.1. Size:452K  st
 stgips10k60a.pdf

IPS105N03LG IPS105N03LG

STGIPS10K60AIGBT intelligent power module (IPM)10 A, 600 V, DBC isolated SDIP-25L moldedFeatures 10 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge including control ICs for gate driving and free-wheeling diodes 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL inputs comparators with hysteresis and pull down resistor Internal bootstrap diode Interlocking function 5 k NTC thermistor fo

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top